(通用版)2022高考化學(xué)一輪復(fù)習(xí) 跟蹤檢測(cè)(六十六)教材基礎(chǔ)(4)晶體結(jié)構(gòu)與性質(zhì)(含解析)

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1、(通用版)2022高考化學(xué)一輪復(fù)習(xí) 跟蹤檢測(cè)(六十六)教材基礎(chǔ)(4)晶體結(jié)構(gòu)與性質(zhì)(含解析) 1.下列晶體分類中正確的一組是(  ) 選項(xiàng) 離子晶體 原子晶體 分子晶體 A NaOH Ar SO2 B H2SO4 石墨 S C CH3COONa 水晶 D Ba(OH)2 金剛石 玻璃 解析:選C A項(xiàng)中固態(tài)Ar為分子晶體;B項(xiàng)中H2SO4為分子晶體,石墨是混合型晶體;D項(xiàng)中玻璃是非晶體。 2.下列各組晶體物質(zhì)中,化學(xué)鍵類型相同,晶體類型也相同的是(  ) ①SiO2和SO3?、诰w硼和HCl?、跜O2和SO2  ④晶體硅和金剛石 ⑤晶體氖

2、和晶體氮?、蘖螯S和碘 A.①②③         B.④⑤⑥ C.③④⑥ D.①③⑤ 解析:選C 屬于分子晶體的有SO3、HCl、CO2、SO2、晶體氖、晶體氮、硫黃、碘,屬于原子晶體的有SiO2、晶體硼、晶體硅、金剛石,但晶體氖中不存在化學(xué)鍵。 3.氮氧化鋁(AlON)屬原子晶體,是一種超強(qiáng)透明材料,下列描述錯(cuò)誤的是(  ) A.AlON和石英的化學(xué)鍵類型相同 B.AlON和石英晶體類型相同 C.AlON和Al2O3的化學(xué)鍵類型不同 D.AlON和Al2O3晶體類型相同 解析:選D AlON與石英(SiO2)均為原子晶體,所含化學(xué)鍵均為共價(jià)鍵,故A、B項(xiàng)正確;Al2O3

3、是離子晶體,晶體中含離子鍵,不含共價(jià)鍵,故C項(xiàng)正確、D項(xiàng)錯(cuò)誤。 4.下列說(shuō)法中正確的是(  ) A.離子晶體中每個(gè)離子周圍均吸引著6個(gè)帶相反電荷的離子 B.金屬導(dǎo)電的原因是在外電場(chǎng)作用下金屬產(chǎn)生自由電子,電子定向運(yùn)動(dòng) C.分子晶體的熔、沸點(diǎn)很低,常溫下都呈液態(tài)或氣態(tài) D.原子晶體中的各相鄰原子都以共價(jià)鍵相結(jié)合 解析:選D A項(xiàng),離子晶體中每個(gè)離子周圍不一定吸引6個(gè)帶相反電荷的離子,如CsCl晶體中,每個(gè)Cs+吸引8個(gè)Cl-;B項(xiàng),金屬晶體中的自由電子不是因?yàn)橥怆妶?chǎng)作用產(chǎn)生的;C項(xiàng),分子晶體在常溫下不一定是液態(tài)或氣態(tài),可能為固態(tài),如I2、S8等。 5.下列物質(zhì)的熔、沸點(diǎn)高低順序中,

4、正確的是(  ) A.金剛石>晶體硅>二氧化硅>碳化硅 B. C.MgO>H2O>O2>Br2 D.金剛石>生鐵>純鐵>鈉 解析:選B A項(xiàng),同屬于原子晶體,熔、沸點(diǎn)高低由共價(jià)鍵的強(qiáng)弱即鍵能大小決定,鍵能由小到大也是熔、沸點(diǎn)由低到高的順序?yàn)榫w硅<碳化硅<二氧化硅<金剛石,錯(cuò)誤;B項(xiàng),形成分子間氫鍵的物質(zhì)的熔、沸點(diǎn)高于形成分子內(nèi)氫鍵的物質(zhì)的熔、沸點(diǎn),正確;C項(xiàng),熔、沸點(diǎn)高低順序?yàn)镸gO>H2O>Br2>O2,錯(cuò)誤;D項(xiàng),生鐵為鐵合金,熔點(diǎn)低于純鐵,錯(cuò)誤。 6.下列數(shù)據(jù)是對(duì)應(yīng)物質(zhì)的熔點(diǎn)(℃): BCl3 Al2O3 Na2O NaCl AlF3 AlCl3 干冰 Si

5、O2 -107 2 073 920 801 1 291 190 -57 1 723 據(jù)此做出的下列判斷中錯(cuò)誤的是(  ) A.鋁的化合物的晶體中有的是離子晶體 B.表中只有BCl3和干冰是分子晶體 C.同族元素的氧化物可形成不同類型的晶體 D.不同族元素的氧化物可形成相同類型的晶體 解析:選B A項(xiàng),氧化鋁的熔點(diǎn)高,屬于離子晶體,則鋁的化合物的晶體中有的是離子晶體,正確;B項(xiàng),表中BCl3、AlCl3和干冰均是分子晶體,錯(cuò)誤;C項(xiàng),同族元素的氧化物可形成不同類型的晶體,如CO2是分子晶體,SiO2是原子晶體,正確。 7.下列關(guān)于CaF2的表述正確的是(  )

6、 A.Ca2+與F-間僅存在靜電吸引作用 B.F-的離子半徑小于Cl-,則CaF2的熔點(diǎn)低于CaCl2 C.陰、陽(yáng)離子數(shù)之比為2∶1的物質(zhì),均與CaF2晶體構(gòu)型相同 D.CaF2中的化學(xué)鍵為離子鍵,因此CaF2在熔融狀態(tài)下能導(dǎo)電 解析:選D Ca2+與F-之間既有靜電吸引作用,也有靜電排斥作用,A錯(cuò)誤;離子所帶電荷相同,F(xiàn)-的離子半徑小于Cl-,所以CaF2晶體的晶格能大,熔點(diǎn)高,B錯(cuò)誤;晶體構(gòu)型還與離子半徑的相對(duì)大小有關(guān),所以陰、陽(yáng)離子數(shù)之比為2∶1的物質(zhì),不一定與CaF2晶體構(gòu)型相同,C錯(cuò)誤;CaF2中的化學(xué)鍵為離子鍵,在熔融狀態(tài)下發(fā)生電離,因此CaF2在熔融狀態(tài)下能導(dǎo)電,D正確。

7、 8.有一種藍(lán)色晶體[可表示為MxFey(CN)6],經(jīng)X-射線研究發(fā)現(xiàn),它的結(jié)構(gòu)特征是Fe3+和Fe2+互相占據(jù)立方體互不相鄰的頂點(diǎn),而CN-位于立方體的棱上。其晶體中陰離子的最小結(jié)構(gòu)單元如圖所示。下列說(shuō)法不正確的是(  ) A.該晶體的化學(xué)式為MFe2(CN)6 B.該晶體屬于離子晶體,M呈+1價(jià) C.該晶體屬于離子晶體,M呈+2價(jià) D.晶體中與每個(gè)Fe3+距離最近且等距離的CN-為6個(gè) 解析:選C 由題圖可推出晶體中陰離子的最小結(jié)構(gòu)單元中含F(xiàn)e2+個(gè)數(shù):4×=,含F(xiàn)e3+個(gè)數(shù):4×=,含CN-個(gè)數(shù):12×=3,因此陰離子為[Fe2(CN)6]-,則該晶體的化學(xué)式只能為MFe2

8、(CN)6,由陰、陽(yáng)離子形成的晶體為離子晶體,M的化合價(jià)為+1價(jià),故A、B兩項(xiàng)正確,C項(xiàng)錯(cuò)誤。由圖可看出與每個(gè)Fe3+距離最近且等距離的CN-為6個(gè),故D項(xiàng)正確。 9.(1)鈉、鉀、鉻、鉬、鎢等金屬晶體的晶胞屬于體心立方,則該晶胞中屬于1個(gè)體心立方晶胞的金屬原子數(shù)目是________。氯化銫晶體的晶胞如圖1,則Cs+位于該晶胞的________,而Cl-位于該晶胞的________,Cs+的配位數(shù)是________。 (2)銅的氫化物的晶體結(jié)構(gòu)如圖2所示,寫出此氫化物在氯氣中燃燒的化學(xué)方程式:_________________________________________________

9、_______________________。 (3)圖3為F-與Mg2+、K+形成的某種離子晶體的晶胞,其中“○”表示的離子是________(填離子符號(hào))。 (4)實(shí)驗(yàn)證明:KCl、MgO、CaO、TiN這4種晶體的結(jié)構(gòu)與NaCl晶體結(jié)構(gòu)相似(如圖4所示),已知3種離子晶體的晶格能數(shù)據(jù)如下表: 離子晶體 NaCl KCl CaO 晶格能/(kJ·mol-1) 786 715 3 401 則這4種離子晶體(不包括NaCl)熔點(diǎn)從高到低的順序是________________________。 其中MgO晶體中一個(gè)Mg2+周圍和它最鄰近且等距離的Mg2+有____

10、____個(gè)。 解析:(1)體心立方晶胞中,1個(gè)原子位于體心,8個(gè)原子位于立方體的頂點(diǎn),故1個(gè)晶胞中金屬原子數(shù)為8×+1=2;氯化銫晶胞中,Cs+位于體心,Cl-位于頂點(diǎn),Cs+的配位數(shù)為8。(2)由晶胞可知,粒子個(gè)數(shù)比為1∶1,化學(xué)式為CuH,CuH與Cl2反應(yīng),產(chǎn)物為CuCl2和HCl,化學(xué)方程式為2CuH+3Cl22CuCl2+2HCl。(3)由晶胞結(jié)構(gòu)可知,黑球有1個(gè),灰球有1個(gè),白球有3個(gè),由電荷守恒可知n(Mg2+)∶n(K+)∶n(F-)=1∶1∶3,故白球?yàn)镕-。(4)從3種離子晶體的晶格能數(shù)據(jù)知道,離子所帶電荷越多、離子半徑越小,離子晶體的晶格能越大,離子所帶電荷數(shù):Ti

11、3+>Mg2+,離子半徑:Mg2+<Ca2+,所以熔點(diǎn):TiN>MgO>CaO>KCl;MgO晶體中一個(gè)Mg2+周圍和它最鄰近且等距離的Mg2+有12個(gè)。 答案:(1)2 體心 頂點(diǎn) 8 (2)2CuH+3Cl22CuCl2+2HCl (3)F- (4)TiN>MgO>CaO>KCl 12 10.(2017·海南高考)ⅣA族元素及其化合物在材料等方面有重要用途。回答下列問(wèn)題: (1)碳的一種單質(zhì)的結(jié)構(gòu)如圖(a)所示。該單質(zhì)的晶體類型為________,原子間存在的共價(jià)鍵類型有________,碳原子的雜化軌道類型為____________________。 (2)SiCl4分子的中

12、心原子的價(jià)層電子對(duì)數(shù)為________,分子的立體構(gòu)型為________,屬于________分子(填“極性”或“非極性”)。 (3)四鹵化硅SiX4的沸點(diǎn)和二鹵化鉛PbX2的熔點(diǎn)如圖(b)所示。 ①SiX4的沸點(diǎn)依F、Cl、Br、I次序升高的原因是________________________________________________________________________ ________________________________________________________________________。 ②結(jié)合SiX4的沸點(diǎn)和PbX2的熔點(diǎn)的變化規(guī)

13、律,可推斷:依F、Cl、Br、I次序,PbX2中的化學(xué)鍵的離子性________、共價(jià)性________。(填“增強(qiáng)”“不變”或“減弱”) 解析:(1)該單質(zhì)為石墨,石墨屬于混合型晶體,層內(nèi)碳原子之間形成σ鍵和π鍵;石墨中碳原子有3個(gè)σ鍵,無(wú)孤電子對(duì),因此雜化類型為sp2;(2)SiCl4中心原子是Si,有4個(gè)σ鍵,孤電子對(duì)數(shù)為=0,價(jià)層電子對(duì)數(shù)為4,空間構(gòu)型為正四面體;屬于非極性分子;(3)①SiX4屬于分子晶體,不含分子間氫鍵,范德華力越大,熔沸點(diǎn)越高,范德華力隨著相對(duì)分子質(zhì)量的增大而增大,即熔沸點(diǎn)增高;②同主族從上到下非金屬性減弱,得電子能力減弱,因此PbX2中化學(xué)鍵的離子性減弱,共價(jià)性增強(qiáng)。 答案:(1)混合型晶體 σ鍵、π鍵 sp2 (2)4 正四面體 非極性 (3)①均為分子晶體,范德華力隨相對(duì)分子質(zhì)量增大而增大?、跍p弱 增強(qiáng)

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