電子元器件篩選技術(shù).doc

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儀表與電氣系統(tǒng)的可靠性設(shè)計(jì) 電子元器件篩選技術(shù) 摘要：電子元器件是電子設(shè)備的基礎(chǔ)，是保證電子設(shè)備高可靠性的基本資源，其可靠性直接影響設(shè)備的工作效能的充分發(fā)揮。電子元器件是電子設(shè)備、系統(tǒng)的基礎(chǔ)。隨著電子技術(shù)的發(fā)展，電子元器件在設(shè)備中應(yīng)用數(shù)量逐漸增多，對(duì)電子元器件的可靠性也提出了越來(lái)越高的要求。本文介紹電子元器件的篩選技術(shù)。 關(guān)鍵詞：電子元器件；可靠性；篩選 1、 電子元器件篩選的目的和作用 電子元器件篩選是設(shè)法在一批元器件中通過(guò)檢驗(yàn)和試驗(yàn)剔除那些由于原材料、設(shè)備、工藝等（包括人的因素）方面潛在的不良因素所造成的有缺陷的元器件——早期失效元器件，而把具有一定特性的合格器件挑出來(lái)。檢驗(yàn)包括在規(guī)定 環(huán)境下的目視檢查、功能測(cè)量等，某些功能測(cè)試是在強(qiáng)應(yīng)力下進(jìn)行的。 電子元器件失效機(jī)理在元器件制造出來(lái)之后就已經(jīng)固定。所以，可靠性篩選不能改變其失效機(jī)理，不能改變單個(gè)元器件的固有可靠性水平。但是，通過(guò)篩選，課剔除早期失效元器件，從而提高成批元器件總體的可靠性水平?；蛘哒f(shuō)，篩選不能提高元器件的固有可靠性，只能提高使用可靠性。 可靠性篩選對(duì)性能良好的元器件應(yīng)該是一種非破壞性試驗(yàn)，即試驗(yàn)應(yīng)力對(duì)好元器件的損傷要盡可能小。反映在整批元器件特性上，就是不應(yīng)影響其失效機(jī)理、失效模式和正常工作。在此前提下，可考慮加大應(yīng)力進(jìn)行篩選，以提高篩選效果和縮短篩選時(shí)間。篩選的目的是有效地剔除早期失效產(chǎn)品，使失效率降低到可接受的水平。 元器件篩選是提高電子元器件使用可靠性的有效手段。元器件經(jīng)過(guò)篩選可以發(fā)現(xiàn)并剔除在制造、工藝、材料方面的缺陷和隱患。元器件篩選對(duì)空空導(dǎo)彈這樣在飛行任務(wù)期間沒(méi)有可能維修、可靠性指標(biāo)要求又很高的產(chǎn)品尤為重要。 2、 電子元器件篩選分類 電子元器件按照篩選性質(zhì)分類可以分為四大類： ①檢查篩選：顯微鏡檢查篩選；紅外線非破壞性檢查篩選；X射線非破壞性檢查篩選。 ②密封性篩選：液浸檢漏篩選；氦質(zhì)譜檢漏篩選；放射性示蹤檢漏篩選；濕度實(shí)驗(yàn)篩選。 ③環(huán)境應(yīng)力篩選：振動(dòng)、沖擊、離心加速度篩選；溫度沖擊篩選。 ④壽命篩選：高溫儲(chǔ)存篩選；功率老化篩選。 按照生產(chǎn)過(guò)程分類可以分為生產(chǎn)工藝篩選；成品篩選；裝調(diào)篩選（即用模擬整機(jī)使用狀態(tài)的篩選裝置進(jìn)行動(dòng)態(tài)篩選）。 按照篩選的復(fù)雜程度可以分為五類: ①分布截尾篩選：對(duì)元器件參數(shù)性能的分類； ②應(yīng)力強(qiáng)度篩選：對(duì)元器件施加一定強(qiáng)度的應(yīng)力后進(jìn)行測(cè)量分選； ③老煉篩選：在規(guī)定的時(shí)間內(nèi)對(duì)元器件施加各種應(yīng)力后進(jìn)行測(cè)試篩選； ④線性鑒別篩選：類似于老煉篩選，但要運(yùn)用數(shù)理統(tǒng)計(jì)技術(shù)進(jìn)行判別； ⑤精密篩選：在接近元器件使用條件下進(jìn)行長(zhǎng)期老煉并多次精確地測(cè)量參數(shù)變化量進(jìn)行挑選和預(yù)測(cè)。 3、 二次篩選 篩選根據(jù)需要可以分為一次篩選和二次篩選。一次篩選簡(jiǎn)稱為篩選。通常指在元器件生產(chǎn)廠進(jìn)行的篩選，其目的是淘汰有缺陷的產(chǎn)品、根據(jù)使用要求，篩去不符合要求的產(chǎn)品。元器件使用廠有時(shí)根據(jù)使用的需要再進(jìn)行一次篩選，往往稱為二次篩選。二次篩選的目的主要有： a. 使用廠認(rèn)為在生產(chǎn)廠進(jìn)行的篩選應(yīng)力不夠，不足以淘汰足夠的早期失效器件。因此，經(jīng)篩選后的元器件失效率達(dá)不到要求，從而進(jìn)行二次篩選。但對(duì)某些器件（如磁控管），當(dāng)篩選應(yīng)力過(guò)大，反而會(huì)縮短使用壽命。因此，在選擇二次篩選的實(shí)驗(yàn)項(xiàng)目和試驗(yàn)應(yīng)力時(shí)，需區(qū)別對(duì)待，慎重選擇。 b. 元器件生產(chǎn)廠的產(chǎn)品針對(duì)廣泛領(lǐng)域的用戶，因此，一次篩選的目標(biāo)帶有普遍性。當(dāng)使用廠由于特定的使用環(huán)境或要消除特定失效模式時(shí)，就要進(jìn)行含針對(duì)性試驗(yàn)項(xiàng)目的二次篩選。 c. 二次篩選的某些試驗(yàn)項(xiàng)目也帶有檢驗(yàn)的目的。當(dāng)某批某個(gè)項(xiàng)目失效比例高，或出現(xiàn)不該有的失效模式，就往往要研究該批器件的整批質(zhì)量問(wèn)題。 不論一次篩選，二次篩選都必須按使用要求選擇合適的實(shí)驗(yàn)項(xiàng)目和篩選順序，組成既經(jīng)濟(jì)又有效的篩選規(guī)范。因此了解各實(shí)驗(yàn)項(xiàng)目的作用、有無(wú)破壞性和費(fèi)用等因素是十分重要的。特別對(duì)二次篩選，由于使用對(duì)象更為明確，篩選目的更為具體。當(dāng)了解各項(xiàng)試驗(yàn)方法的作用和費(fèi)用后，針對(duì)性的訂出一個(gè)二次篩選規(guī)范是經(jīng)濟(jì)有效地方法。 能用作各類元器件篩選的試驗(yàn)項(xiàng)目很多。詳細(xì)介紹對(duì)使用最普遍，對(duì)失效率評(píng)估作用最大的方法。 為了降低二次篩選的風(fēng)險(xiǎn)，對(duì)于已能滿足要求的元器件應(yīng)盡量不做承受電應(yīng)力、機(jī)械應(yīng)力、熱應(yīng)力的篩選項(xiàng)目，僅做一些必要的檢查性和測(cè)試性的篩選項(xiàng)目。對(duì)于必須做二次篩選的元器件；電應(yīng)力、熱應(yīng)力、機(jī)械應(yīng)力的選取在任何情況下不得超過(guò)元器件的最大額定值。 4、 電子元器件篩選方法 4.1 老煉 4.1.1 半導(dǎo)體元器件失效規(guī)律 老煉篩選的重要依據(jù)是失效規(guī)律。半導(dǎo)體失效規(guī)律從來(lái)都認(rèn)為是遵循浴盆曲線。但近十余年來(lái)國(guó)內(nèi)外都對(duì)其有不同看法。下面介紹浴盆曲線和其他有關(guān)論點(diǎn)。 1. 浴盆曲線簡(jiǎn)介 a. 基本論點(diǎn) 浴盆曲線因失效率隨工作時(shí)間的變化曲線似浴盆而得名。這變化曲線可分為三段，如圖所示： 第一段稱為早期失效期。失效率較高，但隨時(shí)間很快下降。失效原因被認(rèn)為是設(shè)計(jì)制造中的缺陷造成。 第二段稱偶然失效期。失效率最低，且基本上不隨時(shí)間而變化。這是產(chǎn)品最佳工作時(shí)期，失效原因被認(rèn)為是各種隨機(jī)因素造成。 第三段稱為衰老期，或損耗期。失效率顯著上升，失效原因被認(rèn)為是老化、磨損等原因。 產(chǎn)品失效率浴盆曲線 b. 根據(jù)浴盆曲線理論制訂篩選條件 ⑴ 求拐點(diǎn)B：老化到B點(diǎn)是最佳篩選點(diǎn)，使用時(shí)（B點(diǎn)以后）失效率最低，且剩留的使用時(shí)間（BC段）最長(zhǎng)。 ⑵ 如老煉時(shí)間較長(zhǎng)（過(guò)B點(diǎn)較多），則將會(huì)縮短使用時(shí)間，這顯然是不合適的。 c. 浴盆曲線與實(shí)際的矛盾之處 ⑴ 拐點(diǎn)找不到。失效率總隨時(shí)間下降，只是速率不同而已。 ⑵ 三個(gè)不同階段的失效機(jī)理雷同。例如電遷移失效在不同使用時(shí)間都有可能出現(xiàn)，其他失效機(jī)理亦然。 ⑶ 從國(guó)內(nèi)外文獻(xiàn)中均未見(jiàn)到有說(shuō)服力的半導(dǎo)體器件進(jìn)入衰老期的例子。 ⑷ 浴盆曲線理論沒(méi)有強(qiáng)調(diào)設(shè)計(jì)、生產(chǎn)對(duì)可靠性的影響。 由于浴盆曲線理論與事實(shí)矛盾，應(yīng)用該理論在制訂篩選條件時(shí)遇到很大阻力。當(dāng)要采用較長(zhǎng)時(shí)間的老化（如240h或更長(zhǎng)時(shí)間），根據(jù)浴盆曲線理論必然提出：這樣做會(huì)縮短使用壽命。這樣就無(wú)法制訂出正確的篩選規(guī)范。 2. 新失效率曲線簡(jiǎn)介 新的失效率理論和曲線有很多種，這里介紹一種。 新失效率曲線 新失效率曲線如上圖，其特點(diǎn)有： I 失效率及其下降速率隨使用時(shí)間增加而下降。 II在足夠長(zhǎng)時(shí)間內(nèi)不出現(xiàn)失效率曲線上翹的衰老期?！白銐蜷L(zhǎng)”是指在一般使用任務(wù)中均不必考慮這個(gè)時(shí)期。 III不同設(shè)計(jì)、生產(chǎn)水平對(duì)應(yīng)不同的失效率曲線。圖中ABC三條不同的曲線，反映出設(shè)計(jì)、生產(chǎn)水平的不同。A的設(shè)計(jì)生產(chǎn)水平最高，C最差。 IV如果要求篩選后失效率低于λ1，則對(duì)不同設(shè)計(jì)生產(chǎn)水平的產(chǎn)品需要老煉的時(shí)間不同。對(duì)水平高的A，只需要老煉tA時(shí)間。對(duì)水平低的C，則需要老煉tC時(shí)間。而tC>tA。 V如要求篩選后失效率更低，如要求不高于λ2（λ2<λ1）。則老煉時(shí)間也要增加，這時(shí)對(duì)A曲線需tA時(shí)間。老煉時(shí)間越長(zhǎng)，器件的失效率越低。 VI并不是所有工藝水平的產(chǎn)品都能達(dá)到所要求的低失效率。對(duì)C工藝，老煉時(shí)間再長(zhǎng)，甚至把產(chǎn)品完全淘汰完了，也達(dá)不到λ2水平。 4.1.2 老煉試驗(yàn)簡(jiǎn)述 老煉試驗(yàn)簡(jiǎn)單地說(shuō)就是使元器件在一定環(huán)境溫度下工作一段時(shí)間。環(huán)境溫度有室溫、高溫。對(duì)小功率器件，一般采用高溫以加速老煉。對(duì)功率器件，有采用常溫甚至用散熱器散熱的。元器件工作方式則有靜態(tài)（反偏）、動(dòng)態(tài)等。下面主要敘述動(dòng)態(tài)老煉。 動(dòng)態(tài)老煉模擬了器件使用狀態(tài)，因此比較能反映使用過(guò)程的實(shí)際情況。器件在工作時(shí)將出現(xiàn)大部分失效模式，在動(dòng)態(tài)老煉時(shí)均能真實(shí)反映。且根據(jù)老煉控制點(diǎn)的PDA控制可以判斷經(jīng)篩選后電路失效率是否低。因此，老煉是很重要的元器件篩選試驗(yàn)，但試驗(yàn)費(fèi)用較高。 動(dòng)態(tài)老煉時(shí)間和老煉溫度的選擇，老煉試驗(yàn)的應(yīng)力主要由老煉時(shí)間和老練溫度、老煉負(fù)載來(lái)確定。按新失效率曲線理論是可以找到失效率低于要求的合適老煉時(shí)間的。但不同工藝水平，為達(dá)到一定的失效率所要求的老煉時(shí)間不同。因此每批都去求最佳老煉時(shí)間，既不經(jīng)濟(jì)也無(wú)必要。 當(dāng)然按照新失效率曲線，老煉時(shí)間越長(zhǎng)，電路越可靠，但成本也越高。因此無(wú)限增加老煉時(shí)間也是不可取的。 此外老煉應(yīng)力除和老煉時(shí)間有關(guān)外，也和溫度有關(guān)，溫度高則應(yīng)力強(qiáng)，老煉加速。即可用較少時(shí)間達(dá)到同樣目的。溫度和時(shí)間的對(duì)應(yīng)關(guān)系有不同說(shuō)法。GJB548中對(duì)微電路的一張對(duì)應(yīng)表： 動(dòng)態(tài)老練溫度和老煉時(shí)間對(duì)照表 環(huán)境溫度 至少老煉時(shí)間（h） 備注 S級(jí) B級(jí) 100 352 僅用于混合微電路 110 260 僅用于混合微電路 120 190 僅用于混合微電路 125 240 160 130 208 138 140 160 105 150 120 80 顯然，老練溫度高，老煉時(shí)間可以縮短，從而降低試驗(yàn)成本。但溫度高，也帶來(lái)工作上的困難。如高溫下焊錫軟化（軟化所需溫度遠(yuǎn)低于融化點(diǎn)）限制、老煉板壽命下降等。 對(duì)大功率器件還需考慮最高結(jié)溫的限制。 綜上所述，我們對(duì)不同質(zhì)量級(jí)別要求的器件，統(tǒng)一規(guī)定了老煉時(shí)間和老煉溫度。如對(duì)微電路，國(guó)內(nèi)一般取老煉溫度為85℃或125℃。美軍標(biāo)和國(guó)軍標(biāo)都采用125℃。對(duì)分立器件，有的采用150℃。對(duì)單片微電路的S級(jí)，老煉時(shí)間取240h，對(duì)B級(jí)為160h。對(duì)混合微電路K級(jí)為320h，H級(jí)為160h等。對(duì)批質(zhì)量水平，采用PDA技術(shù)進(jìn)行鑒別和控制。 動(dòng)態(tài)老煉的負(fù)載的選擇，老煉負(fù)載，即指器件輸出端所帶的負(fù)載。老煉應(yīng)力和負(fù)載大小有很大的關(guān)系。負(fù)載大，應(yīng)力大。因此負(fù)載大小應(yīng)盡量接近真實(shí)。如使用有容性和感性負(fù)載則應(yīng)同樣在篩選中實(shí)現(xiàn)或模擬。關(guān)于一塊微電路中多個(gè)電路的共用電阻性負(fù)載是這樣規(guī)定的： 一塊微電路中有時(shí)含多個(gè)簡(jiǎn)單電路（如四二與非門即四個(gè)二輸入端與非門電路封裝在一個(gè)管殼里）。如每個(gè)電路要焊兩個(gè)負(fù)載電阻，則含n個(gè)電路的集成塊需要2n個(gè)電阻，使老煉板制作增加難度。一般的做法是將n個(gè)同類電路輸出端共接一個(gè)電阻，且阻值降為1/n。 這樣做固然大大簡(jiǎn)化老煉板的制作。但缺點(diǎn)是各個(gè)電路參數(shù)不可能絕對(duì)相同，因此會(huì)發(fā)生”搶電流“現(xiàn)象，而使各個(gè)電路負(fù)載不勻。有的過(guò)輕，有的過(guò)重。 美標(biāo)MIL-STD-883C的1994年8月修改通知中明確規(guī)定：1985年1月31日以后再不允許共用負(fù)載電阻。國(guó)軍標(biāo)GJB548已把這個(gè)規(guī)定寫了進(jìn)去。由于這和傳統(tǒng)做法有較大不同，希望做試驗(yàn)時(shí)注意這個(gè)規(guī)定。 反偏老煉，是一種加特殊偏置的老煉試驗(yàn)方法，僅用于MOS等對(duì)表面態(tài)較為敏感的器件。所加偏置應(yīng)能使盡可能多的PN結(jié)處于反偏。其作用是使PN結(jié)在高溫反偏條件下能高效的把可動(dòng)離子“趕”到界面從而促使有缺陷的器件盡早失效。反偏老煉的費(fèi)用低于動(dòng)態(tài)老煉。 在GJB548中規(guī)定，只有S級(jí)才采用這項(xiàng)試驗(yàn)，并取老煉時(shí)間為72h。但在很多產(chǎn)品詳細(xì)規(guī)范中規(guī)定，對(duì)B級(jí)也必須作。對(duì) 元器件用戶來(lái)說(shuō)，所使用器件如對(duì)可動(dòng)離子造成的失效機(jī)理比較敏感，則本試驗(yàn)可作為二次篩選的一個(gè)試驗(yàn)項(xiàng)目。 老煉后的冷卻及測(cè)試，一般要求在老煉后，器件冷卻到殼溫不高于30℃，才允許器件斷電。這主要是考慮在高溫?zé)o電廠作用下，可動(dòng)離子會(huì)作無(wú)規(guī)則運(yùn)動(dòng)，從而使已失效了的性能恢復(fù)正常，掩蓋了曾失效的現(xiàn)象。 一般要求在試驗(yàn)結(jié)束后96h內(nèi)將被測(cè)電路測(cè)完。不能測(cè)完的部分重作24h的老煉后再測(cè)試。對(duì)批量小的電路限制測(cè)試完的時(shí)間還應(yīng)壓縮，效果會(huì)更好些。對(duì)反偏老煉后的冷卻及測(cè)試時(shí)間應(yīng)嚴(yán)格按規(guī)定進(jìn)行。 4.2 高溫存儲(chǔ)篩選 高溫存儲(chǔ)技術(shù)要求低，費(fèi)用省，有時(shí)效果還不錯(cuò)。存儲(chǔ)溫度過(guò)高，時(shí)間過(guò)長(zhǎng)對(duì)封裝有破壞性。主要失效模式之一是引腿鍍層微裂，失去保護(hù)引腿材料的作用。美軍標(biāo)對(duì)該試驗(yàn)項(xiàng)目的應(yīng)力，即存儲(chǔ)溫度和時(shí)間已逐步限制。對(duì)微電路已采用150℃、24h。而國(guó)內(nèi)有些標(biāo)準(zhǔn)采用了高溫度（烘箱達(dá)高溫不困難）、長(zhǎng)時(shí)間，且自認(rèn)為超美軍標(biāo)應(yīng)力水平，這種看法是錯(cuò)誤的。 對(duì)同一應(yīng)力強(qiáng)度，提高了存儲(chǔ)溫度就需要減少存儲(chǔ)時(shí)間。對(duì)集成電路而言GJB548表明，存儲(chǔ)溫度和時(shí)間有下列對(duì)應(yīng)關(guān)系。 存儲(chǔ)溫度（℃） 存儲(chǔ)時(shí)間（h） 100 1000 125 168 150 24 175 6 對(duì)成熟電路高溫存儲(chǔ)試驗(yàn)的篩選率接近于零。即本試驗(yàn)項(xiàng)目篩選效果很差。老煉試驗(yàn)是對(duì)元器件工作壽命的一種加速試驗(yàn)。而高溫存儲(chǔ)把水汽這個(gè)會(huì)對(duì)封裝起作用的室溫存儲(chǔ)環(huán)境因素排除掉了，因此有人用高溫存儲(chǔ)來(lái)反推存儲(chǔ)壽命。 4.3 PDA控制 PDA意為“批允許不合格率”。PDA不是試驗(yàn)方法而是試驗(yàn)技術(shù)。PDA技術(shù)的引入使篩選的作用有了一個(gè)質(zhì)的飛躍。在引入前，篩選只是100％的“過(guò)篩”，不合格的全篩下去，合格的當(dāng)然要交付使用，但這些合格器件的失效率仍是個(gè)未知數(shù)。PDA技術(shù)能部分解決這個(gè)問(wèn)題。應(yīng)用它能分辨出某批電路將來(lái)使用時(shí)失效率將較低，而某批電路“過(guò)篩”后的“合格”品失效率仍高，仍然必須整批報(bào)廢。 PDA控制技術(shù)對(duì)提高產(chǎn)品可靠性效果顯著，所花成本不高，現(xiàn)已被廣泛采用。但若對(duì)其原理了解不夠和使用方法不當(dāng)就會(huì)限制這個(gè)技術(shù)的使用效果。 首先要選定某一試驗(yàn)項(xiàng)目為進(jìn)行PDA控制的實(shí)驗(yàn)項(xiàng)目，該試驗(yàn)項(xiàng)目稱為PDA控制點(diǎn)（常選在老煉試驗(yàn)項(xiàng)目）。然后確定控制值即PDA值。該值根據(jù)可靠性要求而定，如S級(jí)選3％，B級(jí)選5％等。PDA值越低，則通過(guò)篩選后的器件批失效率越低。當(dāng)然該值也與應(yīng)力強(qiáng)度有關(guān)，如同樣的老煉溫度經(jīng)48h的老煉和168h老煉相比，雖然PDA同樣達(dá)到5％，但經(jīng)168h老煉的器件批失效率低。 計(jì)算批缺陷率P1值，經(jīng)規(guī)定的控制點(diǎn)（如功率老煉）篩選后，失效數(shù)為r1，則定義批缺陷率P1為： P1=r1N 其中N為在該控制點(diǎn)參加該試驗(yàn)項(xiàng)目篩選的器件總數(shù)。如果P1值大，則該批拒收。如P1值不大，則通過(guò)該試驗(yàn)。 缺陷率P1值直接反映試驗(yàn)前該批元器件的可靠性水平，即和該批器件中含某一個(gè)（或某一些）缺陷的次品率W1成正比。證明如下： 總數(shù)為N的樣品中，和r1同失效模式的次品率設(shè)為W1.按定義，W1為： w1=R1N 式中，R1為和r1同類缺陷的實(shí)際次品數(shù)。令B1為篩選率，則： B1=r1R1 將B1值、W1值代入整理得批缺陷率P1為： P1=r1N=R1B1N=B1W1 對(duì)某一特定試驗(yàn)項(xiàng)目，B1為常數(shù)。于是：P1∝W1即批缺陷率P1與次品率成正比。 4.4 其他篩選方法 除了上面介紹的三種篩選方法之外還有常用的篩選方法如離心試驗(yàn)、檢漏試驗(yàn)、測(cè)試電參數(shù)法、溫度循環(huán)和目檢等。 4.5 各種篩選方法的比較 序號(hào) 篩選方法 擬篩的缺陷 效果 費(fèi)用 備注 1 老煉試驗(yàn) 金屬化、硅塊、氧化物、參數(shù)漂移 極好 高 2 溫度循環(huán) 封裝、密封、熱失配、龜裂 很好 低 對(duì)采用引線的元器件最有效 3 密封試驗(yàn) 封裝、密封 很好 較高 4 目檢 引線、金屬化、氧化物、污染微粒子、芯片鍵合、引線鍵合 好 低中等 高可靠性元件必做項(xiàng)目 5 X光檢驗(yàn) 芯片鍵合、引線、微粒子、制造缺陷、密封、封裝、污染 好 中等 可在封裝后檢查芯片鍵合質(zhì)量，但對(duì)硅鋁費(fèi)用較高 6 離心加速度試驗(yàn) 引線、芯片鍵合、引線鍵合、襯底龜裂 好 較高 7 高溫貯存試驗(yàn) 電氣穩(wěn)定性、金屬化、硅塊、腐蝕 一般 低 對(duì)新研器件效果較好 5、 典型篩選程序 高溫儲(chǔ)存——溫度循環(huán)——（跌落）——離心——高溫功率老煉——高溫測(cè)試——低溫測(cè)試——檢漏——外觀檢查——常溫測(cè)試。 A. 高溫儲(chǔ)存：85~175℃，96小時(shí)。 B. 離心：20000g，1分鐘。 C. 高溫功率老煉：85℃，96小時(shí)，在額定電壓、額定負(fù)載下動(dòng)態(tài)老煉。 6、 總結(jié) 電子元器件篩選作為提高元器件使用可靠性的手段，發(fā)揮著重要和特殊的作用，在目前和今后的一段時(shí)期內(nèi)將繼續(xù)保留，它的作用已被多數(shù)整機(jī)生產(chǎn)廠所認(rèn)可。隨著國(guó)內(nèi)電子行業(yè)的發(fā)展，我們應(yīng)該不斷研究新的電子元器件的篩選方法，為元器件使用的可靠性提供重要保障。